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ITO/Si异质结太阳电池

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【作者】 江雪生； 尹万里； 李桐； 姚克贤；

【机构】 北京市太阳能研究所； 北京市太阳能研究所；

【摘要】 <正> 铟锡氧化物/硅太阳电池,简称ITO/Si太阳电池,其优点是结构简单,避免高温扩散工艺,不仅适用于单晶材料,更适用于多晶和非晶材料,有较好的短波响应,形成p-n结的ITO膜又可兼作减反射膜。ITO/Si太阳电池的制作,可以采用喷涂、真空蒸镀、溅射和化学气相沉积等方法。本文仅介绍真空蒸镀法制作ITO/Si太阳电池。

【关键词】 异质结太阳电池； ITO/Si； 减反射膜； 真空蒸镀； 铟锡氧化物； 非晶材料； 化学气相沉积； 开路电压； 填充因子； 少数载流子；
  • 【文献出处】 太阳能学报 ,Acta Energiae Solaris Sinica , 编辑部邮箱 ,1982年02期
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