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Bi₁₂SiO₂₀-Bi₁₂GeO₂₀二元系的研究

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【摘要】 <正> 原料是 Bi₁₂SiO₂₀和Bi₁₂GeO₂₀大块晶体。每隔10mol% Bi₁₂GeO₂₀配一个样品,共配制9个样品,用固态烧结法在800～840℃±10℃烧4～7天经 X 射线物相分析证明他们都已形成固溶体,随着 Bi₁₂GeO₂₀含量的增加,烧结温度要略微增高。用差热分析法测定了此系统的相图。它是既没有最高共同成分溶点,也没有最低共同成分溶点的连绩固溶体的相图。差热分析中,发现当样品溶化后,再继续升温（约30—40℃）,则在降温时(以5℃/分或更多还原

【关键词】差热分析法；物相分析；烧结法；烧结温度； Bi； GeO； SiO；高温相；二元系；天经；

【文献出处】人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1982年Z1期

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Bi12SiO20-Bi12GeO20二元系的研究

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