导向温梯法生长氟化钙

【摘要】 <正> 本文主要闸述用导向温梯法生长 CaF₂晶体,提高了晶体的质量。实验条件采用本所设计的二层叠加式真空单晶炉,特制的石墨加热体,多层石墨及钼制保温装置;石墨坩埚;CGQ—01 型任意程序给定器以及 JWT—702 控温仪。在高于10^-4乇的真空炉中,其给定的程序是升温二小时达到高于 CaF₂熔点温度,保温二小时,使原料充分熔化,再以适当速率缓慢降温生长晶体。检测后发现应力为1—2级（光学玻璃标准）较原下降法生长的晶体（应力3—4级）有所更多还原