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包晶体生长的熔体的最佳成分

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【摘要】 <正> 生长包晶体时,传统的看法都认为不能像生长同成分点晶体那样采用“头顶”配料,而是将其熔体成分依照相图控制在液相线的范围內。我国晶体生长工作者曾经在生长包晶体时所用熔体的熔点多次在包晶反应线之上,即其成分越过了液相线的范围,而且观察到更有利于生长。唐棣生等人在测定 SrNb2O6-NaNbO3

  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1982年Z1期
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