GaAlAs/GaAs DH激光器的发光位置研究

【摘要】 <正> GaAlAs/GaAs DH激光器是一个微型的多层结构的发光器件。正常结构的发光区是在一个条形的发光区内。但是,由于工艺的改变、操作的失误等,许多器件的发光区不在理想部位。直接观察发光区的确切位置及其图样,对于了解器件性能,特别是对工艺的研究有着重要的意义。本文介绍发光区位置的确定,描述各种发光现象及其同工艺之间的可能联系。 实验结果表明:(1)全线发光有的主要与条形形成工艺有关(平面条形);有的则由外延工艺决定(沟槽衬底)。(2)带状发光,一类与外延有关,如⊿x偏小,作用区太薄等;另一类与条形形成工艺有关,如Zn的深度扩散等。(3)衬底发光主要与外延工艺有关。如沟槽衬底条形更多还原