【摘要】 <正> 扩散制结方法很多,其中包括杂质扩散,组分扩散（CID,退火）等。 因为采用组份Te过量为源材料生长的非掺杂Pb_1-xSn_xTe单晶,是空穴浓度很高的p-型材料,所以杂质扩散制造p-n结,关键是选取合适的施主杂质。目前已确定的元索有Ⅱ族——Zn、Cd;Ⅲ族——Al、Ga、In;V族——Bi、Sb等。其中采用Cd、Sb杂质源已获得性能较好的LTT激光器件。 本文报导Cd在Pb_0.8Sn_0.2Te中扩散的一些实验结果。更多还原

【Abstract】 The results on the diffusion of Cd into Pb0.8Sn0.2Te are given. The methods to reveal the pn junction are compared. The relation between junction depth and diffusion time is presented.更多还原