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电压补偿法提高布儒斯特角普克耳盒的消光比
【摘要】 文中分析了布儒斯特角窗片对纵向加压纵向通光的KDP晶体消光比的影响.为获得大消光比,从理论上推导了应在晶体上加稍偏离Vλ/4的电压,此时布儒斯特角窗的引入将不影响晶体的消光比.实验也证实了理论预期的结果.
- 【文献出处】 兵器激光 , 编辑部邮箱 ,1982年06期
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【摘要】 文中分析了布儒斯特角窗片对纵向加压纵向通光的KDP晶体消光比的影响.为获得大消光比,从理论上推导了应在晶体上加稍偏离Vλ/4的电压,此时布儒斯特角窗的引入将不影响晶体的消光比.实验也证实了理论预期的结果.