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Si(Li)半导体电子谱仪的效率刻度

Efficiency calibration of Si (Li) electron spectrometer

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【作者】 朱家璧郑万辉顾加辉王功庆

【Author】 Zhu Jiabi Zheng Wanhui Gu Jiahui Wang Gongqing (Shanghai Institute of Nuclear Research, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海原子核研究所中国科学院上海原子核研究所

【摘要】 <正> Si(Li)半导体电子谱仪与磁谱仪相比,具有探测效率高、价廉、制作方便,分辨率相当于许多透镜型磁谱仪,并能作全能谱测量等优点。它是目前核谱测量中常用的一种设备,对于短寿命弱放射性的测量尤为适宜。Si(Li)电子谱仪的效率刻度是谱仪作定量测量的基础。谱仪经效率刻度后,能精确测量电子谱线的相对、绝对强度。结合γ射线强度测量就能算出内转换系数,这是确定核跃迁多极性的重要方法,也是确定核素纲图中绝对跃迁数的重要方法。因此电子谱仪的效率刻度在核物理研究、同位素应用、核爆辐射场、天体辐射带等关于β及电子强度测量中是必不可少的。

【Abstract】 The detection efficiency of the Si(Li) electron spectrometer as a function of electron energy was measured using 131I and 207Bi calibration sources having seven different energies from 45keV to 1000keV. The curve fit and interpolation of the efficiency curve were also made. The interpolation error of the curve was about 8.7%. By measuring internal conversion coefficiency of 67Zn reliability of efficiency curve was checked experimentally.

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