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激光增强LPCVD多晶硅
【摘要】 随着半导体器件,尤其是大规模超大规模集成电路的迅速发展,促进了半导体新工艺新技术的不断涌现,降低器件制造过程中多次高温循环的温度就是一个极其活跃的课题。激光加热衬底诱导生长硅膜的工作国内外均有报导。我们采用不同的方法,以激光束只照射硅片表面上方附面层内的SiH4气体,不照射硅片,即没有激光对硅片的热作用。这样可以突出激光选择性吸收的作用。
- 【文献出处】 河北大学学报(自然科学版) ,Journal of Hebei University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,1982年02期
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