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扩硼Si在连续CO2激光辐照后的特性

Properties of Boron-Diffused Si Irradiated by CW CO2 Laser

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【作者】 李元恒； 张玉峰； 吴书祥； 杜永昌；

【Author】 Li Yuanheng/Institute of Mechanics, Academia SinicaZhang Yufeng/Peking UniversityWu Shuxiang/Peking UniversityDu Yongchang/Peking University

【机构】 中国科学院力学研究所； 北京大学； 北京大学；

【摘要】 本文研究了高温高浓度扩硼Si在连续CO2激光辐照后表面薄层电阻随激光功率密度和扫描速度的变化.实验发现,一定功率密度和扫描速度的CO2激光辐照可使扩硼Si的载流子面密度提高到原来的一倍半到三倍左右.

【Abstract】 The dependence of sheet resistance on power density and scanning velocity of CWCO2 laser irradiation on Si diffused at high temperature with high concentration ofboron has been investigated.The experimental data show that the surface carrier concentration of B-diffused Si increases by 50 to 200% after CO2 laser irradiation witha certain power density and scanning velocity.

【关键词】 激光辐照； CO2激光； Si； 激光功率密度； 薄层电阻； 红宝石激光； 激光扫描； 载流子密度； 封离； 激光作用；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1982年04期
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