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用DLTS研究注氧硅中深中心缺陷

Study of Deep Level Defects in O~+ Implanted Si by DLTS

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【Author】 Zhang Yufeng/Department of Physics, Peking UniversityZhang Lizhu/Department of Physics, Peking UniversityWu Shuxiang/Department of Physics, Peking UniversityDu Yongchang/Department of Physics, Peking University

【机构】北京大学物理系；北京大学物理系；

【摘要】 <正> 近年来,离子注入在半导体中产生的缺陷及其退火行为被广泛地研究,DLTS技术提供了一个高灵敏度测量低浓度深中心缺陷的方法本文用DLTS技术测量了注氧硅中缺陷的热退火和CW-CO₂激光退火行为.更多还原

【关键词】激光退火； DLTS；空位团；禁带；子注；离子注入；真空镀膜技术；功率密度；电子陷阱；双空位；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1982年03期

【被引频次】2
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