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磷化铟与氧化膜界面物理性质的研究

Study of the Physical Properties of Oxidized Film/InP Interfaces

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【Author】 Chen Keming/Institute of Semiconductors, Academia sinicaQiu Lanhua/Institute of Semiconductors, Academia sinicaCui Yude/Institute of Semiconductors, Academia sinicaChen Weide/Institute of Semiconductors, Academia sinicaJian Pingqing/Institute of Semiconductors, Academia sinica

【机构】中国科学院半导体研究所；中国科学院半导体研究所；

【摘要】 <正> 利用φ550型AES和ESCA与离子溅射相结合方法,研究了n型InP（100）晶面,浓度 10¹⁶cm^-3,迁移率约 2500cm²/V·s的单晶片上低温淀积SiO₂热氧化膜和阳极氧化膜与本体InP界面区的光电子能谱随深度的变化,及其各种氧化物和俄歇信号的深度分布.在深度分析中Ar作溅射气体,离子枪工作电压为2keV,离子流密度为8μA,电子束电压为3keV,其束流为5μA.同时用椭圆偏振光测厚仪,测定了两种氧化膜的厚度和折射率及介电常数,并且还测定了它们的击穿电压,其结果列于表1.更多还原

【关键词】阳极氧化膜；磷化铟；界面区；热氧化；光电子能谱；击穿电压；深度分布； ESCA；椭圆偏振光；单晶片；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1982年03期

【被引频次】3
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