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GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察

DLD’s Observation of GaAs-GaAlAs DH Laser Diodes

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【Author】 Chen Xinzhi/Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Academia SinicaSun Tizhong/Shanghai Institute of Metal(?)ugy, Academia SinicaQiao Yong/Shanghai Institute of Metal(?)ugy, Academia Sinica

【机构】中国科学院上海光学精密机械研究所；中国科学院上海冶金研究所；中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 <正> 一、引言 GaAs-GaAlAs双异质结激光器(以下简称 GaAlAs DH激光器)的退化是人们很关心的问题.现在看来,器件退化主要有二种形式:快退化和慢退化.GaAlAs DH激光器有源区暗线的增长是器件快退化的主要原因之一.暗线的形成一般在几分钟到几十小时,因此在器件短期老化后如能方便地对器件内部发光情况进行观察并结合进行如阈值、微分量子效率、热阻、伏安特性等测试,将有助于器件退化原因的分析,有利于改进外延与制更多还原

【关键词】 DLD； GaAs-GaAlAs DH；有源区；量子效率；伏安特性；外延片；非辐射复合；退化原因；异质结；发光管；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1982年02期

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