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用电容瞬态技术测量界面态密度

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【作者】 晏懋洵； 毛晋昌； 陈开茅；

【机构】 北京大学物理系； 北京大学物理系；

【摘要】 本文叔述了一种简单方便的用于测量MOS界面态密度的电容瞬态技术。给出了利用该技术对N型硅-二氧化硅界面态总密度和界面态分布的测量结果。该技术适用于工厂中作一般工艺监测。

【关键词】 界面态密度； 瞬态； 表面势； 栅压； 文叔； 液氮温度； 半导体表面； 氧化层； 总密度； 测量结果；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1982年04期
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