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用反应性射频平面磁控溅射在低温下生长压电AlN薄膜

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【作者】 盐崎忠； 山本孝； 川端昭； 盛敏华；

【机构】 日本京都大学电子工学部； 日本京都大学电子工学部；

【摘要】 <正>AlN是很有前途的压电薄膜之一,因为它有较高的声速和相当大的机电耦合系数.至今所报导过的AlN薄膜制作方法有化学气相沉积、射频溅射、以及反应性分子束外延等.在这些工艺中基片温度都相当高,约从1000—1300℃.所以兰宝石是能进行外延生长的唯一材料,而在AlN薄膜和兰宝石基片间不能设置金属电极.本文指出,在温度为50—500℃兰宝石基片上用射频平面磁控反应溅射

【关键词】 磁控溅射； AlN； 基片温度； 兰宝石； 化学气相沉积； 射频溅射； 反应溅射； 机电耦合系数； 玻璃基片； 分子束外延；
  • 【文献出处】 压电与声光 ,Piezoelectrics & Acoustooptics , 编辑部邮箱 ,1981年05期
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