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离子束刻蚀的荫影效应研究
【摘要】 当离子束以一定的入射角刻蚀旋转的样品时,掩膜间样品的刻蚀速率(指间隙d与掩膜厚度T_m的比值在适当的范围内时),由于掩膜对离子束的荫蔽作用而明显减少。本文对此进行了理论计算,并用实验进行验证。发现d/T_m值在一定范围内,改变入射角可控制刻蚀槽底的表面形态。同时也考察了不同入射角对多晶硅、AZ1350J光刻胶刻蚀速率和刻蚀台阶倾角的影响,并求得了短沟道MOS FET多壁自对准工艺(multiple-wall self alignment)中离子束刻蚀的最佳工艺参数。
- 【文献出处】 微电子学与计算机 ,Microelectronics & Computer , 编辑部邮箱 ,1981年03期
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