磁泡存储器Ni—Fe合金薄膜离子束刻蚀

【摘要】 <正> 一、引言大容量磁泡存储器的Ni-Fe合金,图形面积大、线条细,采用离子束刻蚀技术制备这种图形十分合适;而使用化学腐蚀方法则缺点甚多,例如,所得Ni-Fe合金图形台阶倾斜,边界毛糙,影响器件性能。随着磁泡器件向高密度、大容量发展,已经用掩膜转换技术与吸气离子刻蚀制造微米和亚微米磁泡存储器件。为了解决Ni-Fe合金的爬坡问题,必须对传统的器件制造工艺进行改革,发展新的平面工艺技术。本文报导Ni-Fe合金薄膜的离子束刻蚀,考察了Ni-Fe合金台阶倾角与离子束入射角的关系,摸索了不同台阶倾角对器件操作区的影响,确定了最佳刻蚀条件。二、实验方法设备采用我所自制的LK-1离子束刻蚀机。其中主要性能如下:有效刻蚀束径70mm,束流均匀性±5%,束流密度0-1.5mA∧/cm~2,离子能量400-1200eV、入射角0-90°都单独连续可调。基板采用半导体致冷,温度低于50℃,工作台可旋转(10、20、30转/分更多还原