利用激光分解硅烷获得硅薄膜

【摘要】 半导体硅薄膜在电子工业、太阳能的利用等方面都有重要应用.通常这种薄膜多是用化学汽相沉积(CVD)的方法制备的.由于CVD技术要对基底进行长时间的高温加热,这就不可避免地要出现杂质迁移和来自基片的自掺杂等缺点,在器件应用中难以获得理想的杂质分布.随着激光技术的广泛应用,近两年来已有人开始探讨用激光制取硅薄膜的可能性[1].与此同时我们也进行了初步探讨.我们的实验装置如图1所示,采用连续波CO2激光器,其输出功串在60—280W范围内,可以调节.反应室由 50 × 150mm的普通玻璃管制成,一端开有NaCl窗口,另一端是封闭的,中间装有气门活塞,里面有基片支架.激光束经一焦距15cm的锗透镜聚焦更多还原