深能级瞬态谱仪

【摘要】 一、引 言 众所周知,如果在半导体中存在着某些杂质或缺陷,相应地在半导体的禁带中就出现一些能级.离开导带底较远或者离开价带顶较远的能级,都称为深能级.深能级的存在对于半导体的电学、光学和热学性质都有深刻的影响.对二极管和晶体管的开关特性与击穿特性,对发光二极管及半导体激光器的量子效率和使用寿命,对发光二极管的发光颜色以及电荷耦合器件的电荷转移效率等方面,深能级杂质和缺陷都有重要的甚至是决定性的影响.因此,从半导体的应用角度研究深能级杂质和缺陷十分重要,这方面的工作已经开展二十多年了,但由于长期缺乏有力的实验手段,故在这一领域还缺少充分的实验资料和令人信服的理论解释.所以从固体物理学与半导体物理更多还原