【摘要】 随着半导体材料的发展,近来对薄膜半导体材料的分析提出了新的要求。目前,国外己采用了各种分析方法,如离子探针质谱、放射化学分析、原子吸收光谱及化学光谱分析法。 我们结合任务要求及现有条件,开展了用化学光谱法分析硅外延层中的某些重金属杂质的工作。方法的要点是以氢氟酸与硝酸为腐蚀液,控制不同的时间,将硅的外延层逐层腐蚀下来,然后在密闭条件下加热,使基体挥散,以达到分离和浓缩杂质的目的,最后将浓缩物以光谱测定。 考虑到被测杂质大多数为电活性杂质（如Ag、Cu、Mn、Ni、Au、B等）环境污染较少,试剂空白也较常见元素低的原故,所以采用了化学光谱法。在国外主要是用空心阴极光源,由于这种方法操作复杂,且受现有条件的限制,我们采用了近来发展的“氩弧法”。该法的特点是对某些元素分析的绝对灵敏度高,且设备简单,操作方便。因此对薄层分析是有利的。根据我们测定的结果,各种元素测定的灵敏度为: Ag 1.0×10^-11g,Be 1.0×10^-10g;Mn 1.0×10^-9g; Cu 2.0×10^-9g; Au 2.0×10^-9g; Fe 3.0×10^-9g; Ni 1.0×10^-8g; B 5.0×10^-8g;Zn 2.3×10^-8g. 标准偏差2—50％。更多还原

【Abstract】 In this article, We has described how to determine some impurtion in thin epitaxial lager of silicon by chemical-spectro analysis. Which is a method of excitation using high-current （30A） under the atmosphare of argon arc. In order to get the impurition in the epitaxial lager of silicon, the lager is dissolved in HNO₃ and HF first, then, the silicon in solution is evaporated and Concentrated impurition is analysed, The limit evaluated by means of the methdes is Ag 1·10^-11g, Be 1·10^-10g, Mn 1·10^-9g, Cu 2·10^-9g, Au 2·10^-9g, Fe 3·10^-9g, Ni 1·10^-8g, B 5·10^-8g, Zn 2.3·10^-8g, the mean square error of a determination is not greater than 2-50％.更多还原