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硅类氦离子谱线组的强度诊断

THE DIAGNOSIS OF SPECTRAL LINE STRENGTHS FOR HELIUM-LIKE SILICON IONS

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【作者】 顾援卢仁祥毛楚生段光裕龚维燕

【Author】 GU Yuan LU Renxiang MAO Chusheng YIN Guangyu GONG Weiyan(Shanghai Institute of Optics and Fine Merhanics, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海光机所中国科学院上海光机所

【摘要】 <正> 一、引 言 类氦离子共振线的长波侧,除了互组合线外,还存在着大量的双电子伴线。这种双电子伴线跃迁的上能态,有两种形成机制:类氦离子的双电子复合和类锂离子的内壳层激发。有些伴线主要是双电子复合引起的,另一些伴线主要是内壳层激发引起的,还有一些伴线则同时由这两种机制引起。 根据实验测得的类氦离子共振线与互组合线的强度比,可以估算等离子体的电子密度Ne;根据双电子复合伴线与共振线的强度比,可以估算电子温度Te。此外,根据内壳层激

  • 【文献出处】 核聚变与等离子体物理 ,Nuclear Fusion and Plasma Physics , 编辑部邮箱 ,1981年03期
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