节点文献
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光
Photoluminescence of Group Ⅲ-Ⅴ Semiconductors at Low Temperature
【作者】
于鲲；
孟庆惠；
李永康；
吴灵犀；
陈廷杰；
徐寿定；
【Author】
Yu Kun/Institute of Physics,Chinese Academy of SciencesMeng Qinghui/Institute of Physics,Chinese Academy of SciencesLi Yongkang/Institute of Physics,Chinese Academy of SciencesWu Lingxi/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of SciencesChen Tingjie/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of SciencesXu Shouding/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
【机构】
中国科学院物理研究所；
中国科学院半导体研究所；
中国科学院半导体研究所；
【摘要】 <正> 砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.更多还原
-
【文献出处】
半导体学报
,Chinese Journal of Semiconductors
,
编辑部邮箱
,1981年03期
本文链接的文献网络图示:
