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金属有机化学汽相淀积(MO-CVD)技术

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【作者】 石忠诚； 付淑云；

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 <正> 一、引言二、MO-CVD的基本原理及生长系统三、用MO-CVD进行晶体生长及生长晶体的质量（1） GaAs的生长（a） 在绝缘衬底上生长GaAs （b） 在半绝缘GaAs、Ge衬底上生长GaAs （2） 其它Ⅲ—Ⅴ族化合物及固溶体的生长（a） Ga1-xAlxAs、GaxIn1-xAsyP1-y的生长（b） GaSb的生长（c） InAs1-xSbx/InAs的生长四、用MO-CVD生长的晶体制备的器件特性

【关键词】 霍尔迁移率； 生长晶体； 化学汽相淀积； 外延膜； 晶体生长； MO-CVD； 外延生长； 外延层； 量子阱结构； 液相外延；
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,1981年03期
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