GaAs—Ga_1-xAl_xAs液相外延异质结缺陷的高压透射电镜观察

【摘要】 <正> 砷化镓双异质结（DH）激光器由于近年来在光导纤维通讯中成功的应用而受到极大的重视,但在推广时仍有可靠性和成品率不高的问题。为了进一步研究GaAs—Ga_1-xAl^xAs DH激光器退化问题,我们采用1000KV透射高压电子显微镜观察了模拟DH激光器液相外延工艺的GaAs/Ga_1-xAl_xiAs单异质结样品。在GaAs基片掺Te(3×10¹⁸/cm³)在（100）面上外延生长不掺杂的Ga_1-xAl_xAs层,其Al含量X值为小于0.5,外延层厚为6.4μm,外延温度为860℃,降温速率为1℃/min,母液与外延片脱离后约20分钟降至室温。为了确保观察的电镜样品的机械强度,我们采用光刻法在GaAs衬底面上开出直径为800μm的园形窗口,用H₂SO₄∶H₂O₂∶H₂O=1∶8∶1更多还原