节点文献
硅单晶的表面光伏效应
【摘要】 本文认为,样品对光的吸收长度远小于样品的厚度,P型和n型样品的表面光伏符号总是相反;当样品的光吸收长度相当于样品的厚度,光照于硅的粗磨面时,表面光伏谱有一极值,极值点对应着硅的间接吸收,可用于测量Si的禁带宽度。此外,还对不同的导电类型和表面处理的硅片,计算其总的表面光伏,所得结果与实验基本一致。
- 【文献出处】 厦门大学学报(自然科学版) ,Journal of Xiamen University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1980年04期
- 【被引频次】6
- 【下载频次】104