Ga_1-xIn_xAs单晶的生长

【摘要】 采用定向凝固法生长Ga_1-xIn_xAs单晶。进行了熔体In组份（x₀）为0.1～0.6的晶体生长试验,结果表明当x₀≤0.2,生长速度为2—7毫米/小时,晶体生长是近平衡凝固,能避免组份过冷,生长出In组份（x_s）≤0.06的单晶。In在横向和纵向的分布大致均匀,偏差约为10％。In的分凝与按相图计算的Ga_1-xInxAs中的GaAs含量沿锭长分布的数据十分接近。在x₀≤0.2,g<0.3条件下（g为凝固分数）,服从定向凝固方程x_s=kx₀（1-g）^k-1,分凝系数k值为0.15;当g>0.3时,k为变数。更多还原