【摘要】 <正> 一、引言Kolomiets等人在对硫系玻璃进行了多年研究的基础上曾经指出,对玻璃材料很难通过掺杂的方式改变导电类型和电阻率。因此,多年来人们一直认为非晶态半导体是很难实现掺杂效应的。事实上,几年前做出的材料也大都是高阻的。1975年Spear等人首先实现了用辉光放电技术制备的非晶态硅(a—si)的掺杂效应,这在非晶态硅技术中是一次重要突破。随后,Car/son等人用上述材料做出了转换效率为5.5%的太阳能电池,于是围绕着在太阳能电池中的应用对非晶态硅的研究迅速掀起了一个高潮。目前一般认为制做廉价的太阳能电池最有希望的材料是含氢的非晶态硅,称做硅氢合金(a—si:H)。我们据现有资料和自己的初步实验结果认为非晶态硅氟合金(a—si:F)可能是一种比a—si:H合金更有希望的材科。更多还原

【Abstract】 A new type of amorphous semiconducting material, the amorphous silicon-fluorine alloy, is prepared, which exhibits doping effect without introducing hydrogen. Resistivity of the order of 100 ohm-cm and crystalline-amorphous PN function of good characteristics are obtained using Such alloy doped with boron.更多还原