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热氧化硅内表面薄层的显微观测

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【作者】 曾庆城； 钟仕科； 倪敏； 王水凤；

【机构】 江西大学物理系； 江西大学物理系；

【摘要】 采用“磨角—干涉仪法”对热氧化硅的表面进行了显微观测,发现在si—sio2界面附近硅一侧的内表面存在着氧的扩散层,厚度在1,000—2,000埃之间。对于影响表面薄层的工艺因素作了实验性的检测。文中附有实验照片。

【关键词】 热氧化； 内表面； 扩散层； 硅表面； 工艺因素； 干涉仪； 过渡层； 界面特性； 亮带； 带负电；
  • 【文献出处】 南昌大学学报(理科版) ,Journal of Nanchang University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1980年01期
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