低阈值GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器

【摘要】 <正>我们研制成一种PNPN型异质结负阻激光器.器件结构为:n·GaAs/N·Ga_1-xAl_xAs/p·GaAs/P·Ga_1-yAl_yAs/p·GaAs/n·GaAs/P·Ga_1-zAl_zAs;其中,x=0.2～0.3,y≤0.2,z～0.1.本文研究了这种激光器的工作原理和制备工艺,分析了存在异质结构时器件的电导通机理,测量了器件的某些电参数及激射特性.器件的转折电压V_s为15～20v,维持电压V_H约为更多还原