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用X光发散束技术和Ven den Bor法对扩散硼硅激光退火机理的研究

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【摘要】 <正> 我们的工作是对硅片掺B后进行激光处理,而后X光发散束Kossel线方法和Ven den Bor方法进行测量。硅片重掺杂后,在片子的表面200A薄层内,存在着大量的沉淀物,沉淀物的直径约100A左右,用热处理办法很难消去,而用激光退火可以完全除去沉淀物。我们对N型硅片掺硼为10²¹/cm³到10²⁰/cm³的杂质浓度,而后将硅片分成两部分,一部分进行激光退火。用X光发散束Kossel线对硅片进行对比测量,结果有: （1）在X光底片上看出,经激光退火更多还原

【关键词】激光退火； Ven den Bor；掺硼；激光处理；硼硅；对比测量；激光能量密度；杂质浓度；重掺杂；线对；

【文献出处】激光与红外 ,Laser & Infrared , 编辑部邮箱 ,1980年12期

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