中子发生器低速旋转靶

【摘要】 <正> 对高通量D-T中子发生器(中子通量高于10¹⁰n/s)来说,采用大面积旋转靶,是提高靶对束功率的耗散能力,从而提高靶寿命的一种常用的有效方法。作者设计并试验的一种低速旋转靶（见图）使用靶片的最 大直径为150mm,环形活性区宽度为3cm。转速有60、120转/分两 种。靶座设计中考虑尽可能轻巧（减少感生活性）。靶片一样品间的距 离尽可能短（约5～6mm）,以有效地利用中子通量,整个靶座由不锈 钢材料制成,并采用铁饼形的薄壳结构,束管和壳体用氩弧焊连接 成一体,靶片固定于φ20mm不锈钢管制成的旋转轴底部的冷却水 室上（中央冷却面φ70mm）。转轴中央装有进水管,靶片受到径向水 流冷却。更多还原