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掺Te-GaAs单晶中微缺陷的透射电镜研究

ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF MICRODEFECTS OF HEAVILY TELLURIUM-DOPED GALLIUM ARSENIDE

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【Author】 Fan Tiwen/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of SciencesHe Hongjia/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of SciencesBai Yuke/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of SciencesFei Xueying/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

【机构】中国科学院半导体研究所；中国科学院半导体研究所；

【摘要】木文主要是利用透射电子显微镜对重掺Te GaAs的微缺陷作了观察,已发现此材料中有五类结构缺陷.用衬度分析技术鉴别层错缺陷属于非本征型的.更多还原

【Abstract】 In the present investigation,transmission electron microscopy has been used toobserve microdefects of heavily tellurium-doped gallium arsenide.Five kinds of defectshave already been observed in the material.Contrast analysis shows stacking faults tobe of extrinsic type.更多还原

【关键词】透射电镜； Te-GaAs；微缺陷；结构缺陷；透射电子显微镜；明场像；暗场像；衬度；非本征；样品架；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1980年04期

【被引频次】7
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