节点文献

离子注入无显影刻蚀技术

ION IMPLANTATION ETCHING TECHNOLOGY WITHOUT DEVELOPMENT PROCESS

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 Wang Peida/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of SciencesHan Jieping/Institute of Semiconductors, Chinese Academy of SciencesPei Rongxiang/Nanjing Electro-Power Automation Equipment PlantHong Xiaoyin/Peking Institute of Chemical Industries

【机构】中国科学院半导体研究所；电力部南京电力自动化设备厂；北京化工研究所；

【摘要】 <正> 半导体器件、集成电路制造工艺已进入微米、亚微米级的超精细加工阶段.尽管利用远紫外、电子束、软X射线作光源可大大提高曝光图形的分辨率,但是光衍射始终存在,加之电子束的“临近效应”和软X射线的“半阴影效应”,当要求分辨率进一步提高时,将可能成为不可忽略的因素.所以,近来有人提出用离子束曝光的问题.本文提出了一种“离子注入无显影刻蚀技术”展示了离子光刻的可喜前景.更多还原

【关键词】刻蚀技术；离子注入；半导体器件；超精细加工；阴影效应；光刻胶；光衍射；干法刻蚀；刻蚀速率；亚微米级；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1980年03期

【被引频次】1
【下载频次】38

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献