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SiO2-Si界面射频等离子体退火性质研究

AN INVESTIGATION ON THE ANNEALING PROPERTIES OF SiO2-Si INTERFACE IN RF PLASMA

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【作者】 郑有炓； 吴凤美； 苏宗禾；

【Author】 Zheng You-dou/Department of Physics, Nanjing UniversityWu Feng-mei/Department of Physics, Nanjing UniversitySu Zong-he/Department of Physics, Nanjing University

【机构】 南京大学物理系； 南京大学物理系；

【摘要】 <正> 众所周知,SiO2-Si结构中界面态和固定界面电荷以及SiO2中的陷阱电荷,强烈影响硅平面型器件的性能及其稳定性.因此用退火来降低这些电荷中心是非常重要的.我们用氧气氛低压辉光放电产生的射频等离子体对SiO2-Si界面退火（简称RFP退火）.实验

【关键词】 SiO2-Si； 界面态； 辉光放电； 面电荷密度； 平面型； 电场分布； 无序结构； 硅栅； 真空度； 金属栅；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1980年02期
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