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一种由实验数据较准确计算内建电势的方法  
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【英文篇名】 AN APPROACH FOR CALCULATING THE BUILT IN POTENTIAL FROM EXPERIMENTAL DATA
【下载频次】 ★★★
【作者】 陆懋权;
【英文作者】 Lu Mao-quan/Nanjing Solid State Device Institute;
【作者单位】 南京固体器件研究所;
【文献出处】 半导体学报 , Chinese Journal of Semiconductors, 编辑部邮箱 1980年 01期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【摘要】 <正> 内建电势是金属-半导体接触和P-N结半导体的基本物理参数之一.虽然理论上已对Ge、Si及GaAs等材料在单边突变结和线性缓变结两种特殊情况下给出内建电势的近似值,但对实际情形,总还需要通过实验确定.无论是测量 P-N结半导体或是金属-半导体的内建电势,通常都是采用电容-电压法.并且迄今仍在应用.这种方法,首先是将测得的C-V数据在图上画出1/C~2与V的关系,然后按外推法求出内建电势.方法虽然较简单,但不精确.即使杂质浓度分布非常均匀,可是由于其它方面的因素影响,往往并不能获得1/C~2随V变化的直线关系.此外,对被测样品的反向特性的要求还必须
【正文快照】 前 吧扮. 曰 内建电势是金属一半导体接触和P--N结半导体的基本物理参数之一虽然理论上已对Gc、si及GaAs等材料在单边突变结和线性缓变结两种特殊情况下给出内建电势的近似值川,但对实际情形,总还需要通过实验确定.无论是测量卜N结半导体或是金属一半导体的内建电势,通常都是采

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