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位错和微量元素对电容铝箔腐蚀性能的影响

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【作者】 谭树松； 蔡昭怡；

【机构】 中南矿冶学院； 广州锌片厂；

【摘要】 本文探讨了微量元素提高电容铝箔K值的实质,通过实验征实;K值的提高并不是由于晶粒的细化。K值与位错具有更直接的关系,位错密度高K值也高;同时证实腐蚀首先从位错露头处开始。从实验结果看,K值与金属基体成份不均匀、应力不均匀所引起的微电池作用有密切联系。

【关键词】 腐蚀性能； 金属基体； 电容性能； 微电池； 氧化膜厚度； 腐蚀工艺； 晶粒大小； 应力腐蚀； 铝电解电容器； 金相观察；
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