硅酸铋单晶的生长及其性能

【摘要】 一、引 言 在某些微声表面波器件里,希望有一种低声速的材料,同时要求它具有一定的压电性能,例如锗酸铋（Bi₁2;GeO₂0,简称BG）单晶就是这样的材料.能否获得这方面性能比锗酸铋更好的材料呢?这是我们关心的课题. 我们在生长锗酸铋单晶的基础上,考虑到硅（Si）与锗（Ge）同是 IVA族元素,都有+4价的氧化物,其离子半径相近（锗为0.55埃,硅为0.40埃）,它们的配位数都具有4,6两种可能的数值,因此我们就用硅代锗生长了硅酸铋（即Bi₁2SIO₂0,简称BS）单晶体,并研究其性能. 在进行这项工作的过程中,我们看到了国外一些有关的报导.如利文（Levin）等报导了BS的相图‘”;奥更多还原