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硅中退火多边化

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【作者】 王贵华刘振茂

【Author】 ~~

【机构】 哈尔滨工业大学哈尔滨工业大学

【摘要】 用化学侵蚀法对硅单晶中的退火多边化进行了实验研究。研究了多边化过程及其与退火温度的关系。根据实验数据求出硅中位错攀移激活能,发现形变时产生双滑移系退火而不形成多边化墙的主要原因,并非由于形成Lomer-Cottrell位错。

【Abstract】 ~~

  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,1966年04期
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