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硅——二氧化硅界面电气特性及其对器件性能的影响

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【作者】 钟仕科

【机构】 江西大学物理系

【摘要】 在硅——二氧化硅之间有个过渡层,过渡层中存在着界面态和固定电荷,它们能影响晶体管和集成电路的性能。本文简单介绍了界面态和固定电荷的特性,以及它们如何影响器件性能的。同时也介绍了控制界面态密度和固定电荷密度的一些方法。这些方法能有效地提高半导体器件的性能。

  • 【文献出处】 南昌大学学报(理科版) ,Journal of Nanchang University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1979年02期
  • 【被引频次】2
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