无位错硅单晶中微缺陷的显示

【摘要】 <正> 无位错硅单晶中的微缺陷严重地影响器件制作,为了推动这方面工作的开展,我们对微缺陷的观察显示作了一些探讨。用于直接观察点阵缺陷的方法有:腐蚀金相法、红外显微镜、缀饰法、透射电子显微镜及X射线形貌法。这些方法除了X射线法外,均需破坏样品,同时也难以保存其中缺陷的原始状态。利用X射线形貌图相观察晶格缺陷是完全非破坏性的技术,并且它能一次记录下大面积样品中的全部缺陷,因而可以直接检测生产工艺过程中的晶片缺陷。由于微缺陷的晶格畸变区域较小,用X射线形貌法不能直接观察,通常采用铜缀饰(或锂缀饰)后再作观察,这就使它失去了非更多还原