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用晶内偏析和晶粒间的界面物理特性检验合金组份均匀度进一步提高晶体管优品率
【摘要】 本文介绍锗合金晶体管的发射极In-Ga合金球中，Ga的含量越过0.5％，提 高到0．8％，使锗晶体管的优品率获得大幅度提高。并着重讨论晶内偏析现象和晶 粒间的界面物理特性在合金组份均匀度检验技术中的应用。
- 【文献出处】 福州大学学报 ,Journal of Fuzhou University , 编辑部邮箱 ,1979年00期
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【摘要】 本文介绍锗合金晶体管的发射极In-Ga合金球中，Ga的含量越过0.5％，提 高到0．8％，使锗晶体管的优品率获得大幅度提高。并着重讨论晶内偏析现象和晶 粒间的界面物理特性在合金组份均匀度检验技术中的应用。