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对气相外延GaN薄膜生长的研究

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【作者】 黄锡珉； 富淑清； 谢江锋； 范广涵； 胡光； 刘汉芝；

【机构】 中国科学院长春物理所； 中国科学院长春物理所；

【摘要】 <正> 氮化镓是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物的发光材料,属六方晶系,钎维锌矿结构,其禁带宽度岁3.5ev,具有直接跃迁型能带结构。适当掺杂的GaN在一定电场下可以发射红、黄、绿、兰紫色等发光光谱。

【关键词】 薄膜生长； GaN薄膜； 气相外延； 直接跃迁； 发光光谱； 发光材料； 禁带； 兰紫； 外延生长； 氮化镓；
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