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SiO的挥发及其对高炉冶炼的影响
【摘要】 本文利用热力学方法分析了SiO的挥发。在高炉内温度超过1600℃的强还原区SiO可能大最挥发。燃烧焦点处虽然温度很高,但氧化气氛很强,故SiO不可能在此大量挥发。高压有助于接受高风温。高炉内Si可从SiO2及挥发的SiO中直接还原,炉温愈高愈有利于从SiO中还原。
- 【文献出处】 东北工学院学报 , 编辑部邮箱 ,1963年06期
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【摘要】 本文利用热力学方法分析了SiO的挥发。在高炉内温度超过1600℃的强还原区SiO可能大最挥发。燃烧焦点处虽然温度很高,但氧化气氛很强,故SiO不可能在此大量挥发。高压有助于接受高风温。高炉内Si可从SiO2及挥发的SiO中直接还原,炉温愈高愈有利于从SiO中还原。