硅外延层中雾状微缺陷的形成及不同沾污区的形貌

【摘要】 通过实验证明了汽相生长的硅外延层中,经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所呈现出的雾状微缺陷,是由铜、铁、镍、钠、磨料等杂质沾污所致;验明了“渍圈”区是与重沾污区相对应的,在轻沾污区内,被显示出的微缺陷呈浅三角坑,而在重沾污区中,除此类浅坑外还常伴有突起的小丘,亮区内无明显可见的微缺陷结构。 在汽相生长的硅外延层中,被Sirtl浸蚀剂浸蚀后,易出现雾状表面,这种表面状态多是由浅三角坑组成的,对此国内外均已报导过。这些微缺陷,常是造成器件低击穿、漏电大和成品率低的重要原因。有的作者只在(100)面上发现了这类浅坑,并且强调是因装片时不锈钢镊子沾污所致。为提高外延片质量与器件成品率,有必要弄清此类缺陷的成因与外延时可能接触的其它杂质的关系,以便有针对性的将其消除。本文的主要目的,是找出雾状微缺陷的形成与若干杂质沾污情况的对应关系,以及观察不同程度沾污区域的微缺陷形貌,期望以此能做为判别外延层内在质量的有益参考。更多还原