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等离子体低温淀积硅的有序生长

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【作者】 丁成玉； 段素芳；

【机构】 771所； 771所；

【摘要】 在减压和等离子体辉光放电情况下,使用SiCl4,在700℃以下发现外延层不按衬底取向淀积,而强烈的按[110]晶向有序生长。认为分子自由路程可以影响生长活化能,减压和使用分子直径小的载气可以降低外延温度。由于SiCl4和SiH4反应机构不同,SiCl4易于有序生长。

【关键词】 淀积； 外延层； 晶向； 生长现象； 器件结构； 杂质分布； 活化能； 硅膜； 辉光放电； 硅薄膜；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1979年04期
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