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SiCl4等离子体制备多硅晶

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【作者】 丁成玉； 段素芳；

【机构】 七七一所； 七七一所；

【摘要】 多晶硅有着半导体材料的基本性质和一些独特性质。引起了人们的注意,认为是一个值得注意的方向。我们研究了用SiCl4制造多晶硅的方法,发现在减压和等离子体辉光放电的情况下,由于分子自由路程的增加,可以降低反应活化能,因而降低了反应温度。由于SiCl4比硅烷易得,这是个降低成本的方法。

【关键词】 辉光放电； SiCl4； 反应活化能； 半导体材料； 衬底温度； 硅薄膜； 降低成本； 淀积； 硅衬底； 阿伦尼乌斯；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1979年03期
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