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纳米尺度硅集成电路器件与工艺基础研究
纳米尺度硅集成电路器件与工艺基础研究
【项目名称】 纳米尺度硅集成电路器件与工艺基础研究
【项目编号】 2006CB302700
【项目目标】
【项目关键词】 硅集成电路 加热电极 存储器 带隙基准电压源 纳米尺度 亚微米 相变 疲劳特性 操作电流 电源抑制比 器件 温度系数 电路 CMOS 电学性能 Hspice仿真 电压基准 线制 存储器芯片 电学稳定性 运放 管具 互补金属氧化物半导体 研究现状 发展前景 器件失效 专利战略 标准CMOS工艺
【项目承办单位】 北京大学;
【项目负责人】 张兴;
【项目来源】 国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
【涉及学科】 无线电电子学
【科研经费】 0
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 科学技术部
    【发布时间】 2005-12-26
    【申请截止时间】 2006-02-28
    【立项时间】
    【完成时间】
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 张兴
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