当前位置：
数字出版物超市 >> 
纳米级电子束直写曝光的基础工艺研究
纳米级电子束直写曝光的基础工艺研究
【项目名称】 纳米级电子束直写曝光的基础工艺研究
【项目编号】 69906006
【项目目标】
【项目关键词】 基础工艺 电子束直写 曝光 抗蚀剂 GaAs衬底 纳米级 图形 曝光剂量 PMMA 圆孔 正性 Si衬底 分辨率 电子束 对比度 束斑尺寸 热场致发射 矢量扫描 金属剥离 凹槽图形 甲基苯乙烯 极限分辨率 预烘 曝光条件 精细图 LaB6 裂纹 或电路 细线条 共聚物组成 尺寸 底切 邻近效应 电?
【项目承办单位】 中国科学院微电子研究所;
【项目负责人】 刘明;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 无线电电子学
【科研经费】 16.4万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】 该项目进行了电子束抗蚀剂的性能和应用研究,包括单层和多层抗蚀剂技术,根据实际需要主要研究了PMMA正性电子束抗蚀剂和SAL601负性电子束抗蚀剂的工艺条件;电子束曝光工艺、曝光定位精度与技术的研究,制作了高质量的套准标记,保证套准精度;电子束与光学系统的匹配与混合曝光技术研究,解决精度和扫描效率;电子束曝光邻近效应修正技术及背散射效应和图形修正技术的计算机模拟研究;电子束微细加工实用技术应用研究,成功地研制了64nm的CMOS器件和0.18微米的电路。;
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 1999-01-16
    【申请截止时间】 1999-03-31
    【立项时间】 2000-01
    【完成时间】 2002-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
    加载本项目科研成果产出报表....
    加载本项目科研成果....
    加载项目负责人以往科研成果....
    加载同类科研项目成果比较....
    加载本项目科研成果引证文献....
    加载学术文献....
    加载所属大项目下的其它项目....
    加载相关研究人员....
    加载相关研究机构....