| 【项目成果摘要】 |
采用He离子注入结合热处理在红外探测器下面的硅衬底中产生一空腔层,减少热释电材料所吸收的热量向硅衬底扩散,从而提高热释电红外探测器的响应度。同时采用脉冲激光沉积技术在有空腔层衬底上沉积与铁电薄膜晶格相匹配的子晶层,采用金属有机热分解法制备出高热释电系数、织构的铁电薄膜。本发明采用He离子注入、热处理与热氧化的方法在硅衬底中形成SiO_2空腔绝热层,可有效的阻止探测元热流向衬底的扩散,提高热释电探测器的响应;结合悬空窗口,效果更好,解决悬空结构机械强度差的问题。首先采用PLD法生成子晶,然后利用MOD法制备出大面积、均匀结构的PLT铁电薄膜,可有效的提高薄膜的热释电系数,用于制作红外探测器阵列。; |