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6H碳化硅中辐照诱生缺陷结构和深能级态研究
6H碳化硅中辐照诱生缺陷结构和深能级态研究
【项目名称】 6H碳化硅中辐照诱生缺陷结构和深能级态研究
【项目编号】 60076010
【项目目标】
【项目关键词】 6H碳化硅 深能级 缺陷结构 低温光致发光 诱生 6H-SiC 辐照 零声子 双空位 深能级瞬态谱 缺陷体 反位 退火 N型 空位 缺陷 谱线 粒子轰击 复合体 根本依据 辐照特性 束缚激子 多型体 电子辐照 间隙原子 热稳定性 中子辐照 发光谱 原子位置 正电子湮灭 SiC材料 不等价 后退火
【项目承办单位】 四川大学;
【项目负责人】 龚敏;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 物理学
【科研经费】 17万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2000-01-16
    【申请截止时间】 2000-03-31
    【立项时间】 2001-01
    【完成时间】 2003-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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